Satura rādītājs:
Samsung turpina attīstīties tādu mikroshēmu izstrādē, kas būtiski uzlabo mobilo termināļu veiktspēju, enerģijas optimizāciju un autonomiju. Šādi runājot, tā tikko paziņoja, ka tās inženieri izstrādā jaunu trīs nanometru mikroshēmu, kas būvēta no tehnoloģijas “Get-all-around”, kas aizstāj pašreizējo FinFET gofrēšanas sistēmu. Ar šo jauno mikroshēmu, kas iebūvēta trīs nanometros, mēs būtu liecinieki patiesai attīstībai, pielāgojoties jaunajām mākslīgā intelekta un autonomās braukšanas tehnoloģijām.
3 nanometru mikroshēmām būs jāizlieto puse akumulatora nekā pašreizējām
Ja mēs salīdzinātu trīs nanometros iebūvēto mikroshēmu ar tām, kuras patlaban zināmas un ražotas septiņos nanometros, tas samazinātu mikroshēmas izmēru līdz 45%, par 50% mazāk enerģijas patēriņa un efektivitātes pieaugumu par 35%. Jaunajā Samsung patentētajā tehnoloģijā “Get-all-around” tiek izmantota vertikāla nanolokšņu arhitektūra (divdimensiju nanostruktūra ar biezumu skalā no 1 līdz 10 nanometriem), kas nodrošina lielāku elektrisko strāvu uz vienu akumulatoru, salīdzinot ar pašreizējo FinFET procesu.
Pagājušā gada aprīlī Samsung jau dalījās ar klientiem ar šo jaunās mikroshēmas pirmo izstrādes komplektu, saīsinot tā laišanu tirgū un uzlabojot dizaina konkurētspēju. Šobrīd Samsung inženieri ir dziļi spēju uzlabot veiktspēju un energoefektivitāti. Ja mēs nevaram ievietot baterijas, kas pagājušās nedēļas, mums būs jāuzlabo procesori.
Papildus jaunajai mikroshēmai, kas iebūvēta trīs nanometros, Samsung šā gada otrajā pusē plāno sākt sērijveida ierīču procesoru ražošanu, kas iebūvēti sešos nanometros. Paredzams, ka FinFET process, kurā izdosies savākt piecus nanometrus, parādīsies līdz gada beigām, un tā masveida ražošana gaidāma nākamā gada pirmajā pusē. Turklāt uzņēmums gatavojas arī četru nanometru procesoru attīstībai vēlāk šogad. Kurā brīdī parādīsies ilgi gaidītās mikroshēmas, kas iebūvētas trīs nanometros? Vēl ir pāragri teikt.
